（以下简称中微公司，688012）发布了截止2019年12月31日的财报。

  期内，中微公司实现营业收入19.47亿元，同比增长18.77%；实现归属于上市公司股东的净利润1.89亿元，同比增长107.51%；同期研发投入合计4.25亿元，占据营业收入比重为21.81%。

  中微公司董事长尹志尧表示，面对纷繁复杂的形势，2019年中微公司继续瞄准世界科学技术前沿，始终专注研发、客户和市场，在刻蚀设备和MOCVD设备的研发、技术的新应用、市场布局的调整和拓展、新业务的探索和展开等许多方面取得了积极的进展。

  据悉，中微公司正在开发新一代的电容性等离子体刻蚀设备，可加工先进逻辑器件，包括大马士革在内的各种刻蚀应用，能够涵盖5纳米及更先进工艺刻蚀需求和更多关键应用。公司的电容性等离子体介质刻蚀设备已应用于64层闪存器件的量产，正在开发新一代涵盖128层和更先进关键刻蚀应用的刻蚀设备和工艺。

  此外，中微公司的电感性ICP等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产，正在进行下一代产品的研发，以满足7纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3D NAND芯片等产品的刻蚀需求。

  据悉，中微公司的MOCVD设备已在全球氮化镓LED设备市场中占据领头羊。公司研发的用来制造深紫外光LED的MOCVD设备已在行业领先客户端验证成功。用于Mini LED生产的MOCVD设备的研发工作正在有序进行中。制造 Micro LED、功率器件等需要的MOCVD设备也在开发中。同时，公司兼顾外延性发展，子公司中微汇链、中微惠创在新业务拓展领域取得了积极的进展。此外，公司也参股投资了一些具有协同效应潜力的项目。

  中微公司认为，目前国内半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业技术水准不断提高，国产设备在产品性价比、售后服务、地缘等方面的优势逐渐显现。作为全世界最大的半导体消费市场，市场需求带动全球产能中心逐步向中国大陆转移，持续的产能转移带动了大陆半导体市场规模和技术水平的提高，也为我国半导体设备行业的发展提供了机遇。

  展望未来，中微公司表示，公司目前开发的产品以集成电路前道生产的等离子体刻蚀设备，照明应用的薄膜沉积设备等关键设备为主，并已逐步开发应用于集成电路后道的先进封装设备，以及MEMS、Mini LED等应用领域的设备产品。未来，公司将通过投资、并购等外延式成长途径扩大在集成电路领域及泛半导体领域的产品和市场覆盖，并继续探索核心技术在国计民生中创新性的应用，不断推动企业健康发展。

  的原理及结构 /

  销售表现强劲，预期2023年营业额将达47亿元，较2022年的基础上再增加约15.6亿元，同比攀升约49.4％。

  是一种高能量状态的物质，其中原子或分子中的电子被从它们的原子核中解离，并且在总系统中自由移动。这种状态

  羽流成像 /

  GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法，大部分GaN

  是一种带电粒子与电中性粒子混合的物质，其具有多种独特的物理性质，因此在许多领域具有广泛的应用，例如聚变能源、

  实验中的应用有哪些 /

  激元的新型成像技术能够以增强的灵敏度观察纳米颗粒。休斯顿大学纳米生物光子学实验室的石伟川教授和他的同事

  清洗在封装生产中的应用 /

  工程应用产学研融合发展。 交流会期间，西南某院在论文【模块化紧凑型高压电源系统的研制】中提出：为研究高比压、高参数的聚变

  蚀刻变得更有必要。为避免蚀刻掩模下的横向蚀刻，我们应该一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压，但大多数铝蚀刻的研究

  蚀刻率的限制 /

  技术的应用 /

  氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用来制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经

  氮化镓基LED结构的研究 /

  使用PSoC4 CY8C4248LQI-BL583在初步add file进行编译的时候报错怎么解决？

  请问为什么我在使用ADAU1452芯片时，数字信号通过SDATA_IN2然后从SDATA_OUT2输出时使用AP采集这两端的THD+N的值不对呢？