国产刻蚀机大前进:到达3nm拿下国内60%比例逼退美企

时间: 2024-02-24 12:32:06 |   作者: 新闻资讯

  设备的本钱来看,光刻设备占其间的20%,而蚀刻设备占其间的23%,两者占其间的43%的比例,足以证明光刻--蚀刻有多重要了。

  光刻与蚀刻也是成套运用的,光刻工艺后,便是蚀刻工艺,缺一不行,不行代替。

  而光刻机方面,国内的技能很落后,这个我们都清楚的。但刻蚀机方面,国内的技能可不差,完全是国际先进水平。

  之所以这么强,是因为一个企业,那便是中微半导体,由尹志尧博士于2004年创建。

  在创建中微半导体之前,尹志尧博士曾在英特尔、泛林、使用资料等企业均工作过,积累了很多的经历、技能和人脉。

  依照媒体的说法,尹志尧个人在半导体职业具有86项美国专利和200多项各国专利,被誉为“硅谷最有成果的华人之一”。

  后来他看到我国半导体技能相对落后,所以在2004年的时分,他带着钱,带着一批精英人才回国(据称第一批是15个),创办了中微,誓要打破国外的独占。

  在2007年的时分,中微研制出了第一代介质刻蚀机,而且全球初次选用可单立操作的双反响台,功率乃至比国外同种类型的产品还要高30%。

  然后中微不断的尽力,中微的刻蚀机技能不断的前进,到达了全球最先进的水平,现在现已被用于某晶圆厂的3nm芯片生产线中。

  而近来,中微更是表明,中微在我国电容耦合等离子体(CCP)刻蚀设备商场的商场占有率估计将从上一年10月的24%增至60%。在电感耦合等离子体(ICP)东西商场,其比例或许会从简直为零上升到75%。

  算计来看,中微今年在国内的刻蚀商场占有率,或许提升至60%,而之前占有主导地位的美国泛林半导体、使用资料等,悉数被中微打的节节败退了。

  接下来,期望其它国产半导体设备,特别是光刻机,也可以像中微的刻蚀机相同,到达全球领先水平,完成5nm、3nm,那么我国芯片工业,就再也不怕美国卡脖子了。