产品介绍

  ON China 展会期间宣布，中微第二代等离子体刻蚀设备 Primo-RIE™ 正式装配国内技术最先进的代工企业中芯国际，用于32纳米至28纳米及更先进的芯片加工。这是继去年 SEMICON West 展会期间 Primo AD-RIE™ 正式对外发布以来，中微 Primo AD-RIE™ 设备首次进入中国大陆客户生产线。目前，中微第一代等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE™ 已在中国建立了稳固的市场地位。Primo AD-RIE™ 设备也已进入***客户的生产线。

  到目前为止，中微的刻蚀设备已进入11家客户的14条芯片生产线，客户涵盖中国大陆、***、新加坡和南韩等地的整合器件制造商(IDM)、晶圆代工厂、芯片封装厂等。这其中也包括中微近日发布的 TSV 硅通孔刻蚀设备 Primo TSV200E™，为中微开辟了新的市场。综合看来，中微的设备均拥有生产率高、工艺性能出色、操作简单便捷、成本竞争优势显著等优点。随着亚洲地区对半导体设备的需求日渐增长，中微不断拓展产品线使之日趋多元化，从而迈入了加快速度进行发展的轨道，2011年中微的销售额较2010年增长了两倍多。同时，为满足企业自身发展的需求，中微位于上海的二期大楼也将竣工，届时将增加10,000平方米的生产基地。

  Primo AD-RIE™ 设备是中微第二代甚高频去耦合等离子体刻蚀设备，可满足多种关键生产的基本工艺要求。继第一代已被业界广泛认可的 Primo D-RIE™ 之后，Primo AD-RIE™ 采用了更多技术创新点，以解决生产复杂的22纳米至14纳米芯片所带来的挑战，同时确保芯片加工的质量。这些技术创新点包括：可切换频率的射频系统保证了刻蚀的灵活性和可重复性，更好的调谐能力确保了超精细关键尺寸的均匀度和可重复性，改良的反应室室内材料减少了工艺缺陷并降低了成本消耗。

  “我们很高兴中微在中国的第一台 Primo AD-RIE™ 设备能进入国内领先的晶圆代工厂，”中微副总裁兼刻蚀产品事业群总经理朱新萍说道，“与中微第一代产品类似，Primo AD-RIE™ 设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%以上，占地面积较其他同类设备减少了30%以上，并能使加工晶圆的成本降低20%至40%，Primo AD-RIE™ 设备已成为市场上生产率最高、单位投资产出率最高的先进刻蚀设备，用在所有关键及通常的工艺应用。”

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  ——利用在基板上的金属薄膜中产生的表面波来散热，是一个重要的突破。 韩国科学技术学院（KAIST）宣布，机械工程系Bong Jae Lee教授的研究小组在世界上首次成功测量了沉积在基板上的金属薄膜中“表面

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  活性处理后，将cu/sio2混合结合试料浸泡在有机酸溶液中清洗后干燥。

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  SEM/FIB（Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam）双束系统中，FIB是将

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  纳米级[1] 。传统的平面化技术如基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃 SOG、低压 CVD、

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  来自斯图加特大学(德国)的 Harald Gießen 教授的团队正在致力于将光子学和纳米技术用于新的应用和

  显示器在对比度、视角和响应速度等方面的优势较为明显，适合用于娱乐和家庭影院等方面；而液晶显示器则在功耗、分辨率和便携性等方面有一定的优势，适合办公和移动

  巨能电子有限公司，成立于2010年，是一家集电子元器件代理商、产品方案开发和技术服务为一

  的高科技企业，致力为客户提供较为可靠元器件、成本控制及方案解决。公司代理分销国内外品牌逾三百家，主要

  的成熟程度也间接决定了产品的良率和吞吐量。   这每一道工序中，都有所需的对应

  氧化(MPO)、阳极火花沉积(ASD)或火花放电阳极氧化(ANOF),还有人称之为

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  大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。

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  蚀刻变得更有必要。为避免蚀刻掩模下的横向蚀刻，我们应该一个侧壁钝化机制。尽管AlCl和AlBr都具有可观的蒸气压，但大多数铝蚀刻的研究

  近日，Nano Letters（《纳米快报》）在线发表武汉大学高等研究院梁乐课题组和约翰霍普金斯大学Ishan Barman课题组关于高效构建

  增强NV色心的纳米器件研究进展，他们利用自下向上的DNA自组装方法开发了一种混合型独立式

  环氧塑封是IC主要封装形式，环氧塑封器件开封方法有化学方法、机械方法和

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  源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE

  处理的一种表面处理技术。该技术能使金属表面具有一定的耐腐的能力、耐磨性和耐高温性，同时还能大大的提升金属表面的润滑性和粘附性。

  在天体物理学中，有许多天体都具有强大的磁场，例如恒星、行星和黑洞。这些天体周围通常有大量的

  DPC（DirectPlatingCopper）薄膜工艺是一种利用磁控溅射技术制备铜薄膜的方法。该工艺是将目标材料为铜的铜靶放置在真空腔室中，通过磁控溅射技术使得铜靶表面产生

  因产品配置不同,价格货期需要电议,图片仅供参考,一切以实际成交合同为准射频

  源 RF2100ICP Plasma Source上海伯东代理美国 KRi 考夫

  活化技术是一种物理处理技术，通过改变材料表面的化学性质、物理性质和机械性能，实现对材料的表面处理和改性。芯片

  活化技术具有处理效率高、处理精度高、无需添加剂、处理后材料稳定性很高和应用场景范围广泛等优势。

  处理，能大大的提升金属表面的活性，改善金属表面的结合力、增强涂层附着力等性质，使得金属制作的产品的质量和性能得到明显的改善和提升。此外，

  位置的控制在未来更重要。对于成熟的技术节点，高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的重要的条件。若能制造低成本的可靠的

  (6~10mm)、温度漂移等问题,不足以满足发动机复杂机械内部非定常测量的需要。而在对新技术的探索中,

  技术由于其有着许多先天优势而引起了研究者们的关注，如其理论上有着高频率响应的特性、不受热惯性的限制、基于

  原理的探针结构尺寸小,可达毫米尺度。因此认为其具有十分优秀的发展的潜在能力，有望突破高温高

  为满足集成电路中对纳米结构器件的尺寸及质量的高性能要求，有效地解决表面

  光刻技术中存在的near-field OPE问题，中国科学院大学集成电路学院教授韦亚一课题组通过对表面

  色散效应环形谐振器调制器具有诱人的发展前途。然而，其性能目前受限于调制深度和开关速度之间的权衡。

  电视最重要的部件，占整机成本的六、七成。屏的好坏，直接决定着平板电视的优劣。目前世界上只有韩国LG、三星和日本的松下等少数厂商具备

  风嘴是一种高科技产品，它通过高压电场作用于材料表面，使其电离进而达到除尘的目的。常见的

  有CFO、PLAM-SINK及VESD等几种。高压电击产生巨大能量，能够将不良电荷中

  避雷器3600Discharge 2-Electrode Arrester 5.5*6直流击穿电压3600V气体

  。以下是部分现有产品。 一：光谱仪 光谱技术在光学测量（椭偏仪、膜厚仪）、

  过程监测中具有多种应用。 光谱仪是椭偏仪和膜厚仪的核心部件，用于材料光学参

  中因高速电子分解碰撞产生的氧原子自由基会很快与含碳物质中的碳和氢反应，形成易挥发的co,co2和h2o并且将含碳物质有效地从表面移除。这样的一个过程是在带有

  技术的应用限制范围正在逐步扩大。在半导体制造、杀菌消毒、医疗前线等诸多领域，利用

  稳定，适用于很多类型的无机样品和有机样品分析。PlasmaLokTM专利ICP-MS接口技术,完全消除接口处的二次电弧放电，保证

  氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用来制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的 不同干蚀刻技术。电感耦合

  薄膜沉积工艺一定要考虑到电弧不可避免的影响，并将尽可能减轻电弧导致的损坏。对于大多数

  清洗前后引线框架水滴角对比试验，工艺实验达到预期的效果，符合封装工艺的真实的情况。研究结论对提高封装产品的可靠性提供了相应的参考依据。

  可以使用多种不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)所组成的混合物。

  清洗前后引线框架水滴角对比试验，工艺实验达到预期的效果，符合封装工艺的真实的情况。研究结论对提高封装产品的可靠性提供了相应的参考依据。

  在真空状态下，高频电源的高压交变电场将氧气、氢气等反应性气体电离成高能量和高反应性的

  气体。这些高活性基团被吸附在工件表面，与表面污染物发生化学反应，生成其他气体并脱离工件表面，随排气系统排出。氧气适合对助焊剂等有机类污染物做处理，氢气适合处理金属氧化物。

  作 用于固体表面分子反应生成产物分子；产物分子与 残余物脱离固体表面。由于

  中的电子、离 子和自由基等活性粒子的存在，其本身很容易与固 体表面发生反应，这种反应可分为物理的或化学的。

  (plasma)又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负

  化气体状物质，尺度大于德拜长度的宏观电中性电离气体，其运动主要受电磁力支配，并表现出显著的集体

  的动力学特征从原始的向外扩散变更为放电空间内阳极和阴极之间的漂移运动。

  电池(LIBs)为代表的储能装置已被作为存储可再次生产的能源的主要解决方案。然而，由于石墨和钛酸锂等负极材料容量有限，仍不足以满足电子器件对高能量密度和寿命的期望。