产品介绍

  在数字化时代的浪潮中，人工智能技术的迅猛发展使得存储芯片面临前所未有的挑战。这促使高带宽内存（HBM）技术应运而生，凭借其高带宽、大容量、低能耗等独特优势，快速成为高性能计算领域中的明星技术。本文将深入解析HBM的技术背景、市场应用及其所蕴含的新机遇。

  HBM（高带宽内存）是一种采用三维堆叠和硅通孔（TSV）技术的高性能DRAM。其核心优势包括高带宽、低延迟和低功耗等，因此在高性能计算领域具备了无可替代的地位。通过增加存储堆栈数量和位宽，HBM大幅度缩短了存储芯片和逻辑芯片之间的距离。这不仅降低了工作电压，还减少了信号线的数量和长度，使得HBM在性能、功耗和空间利用等多个角度表现优异。

  尽管HBM2E和HBM3的单引脚最大I/O速度略低于GDDR5，但是通过更多I/O数量，HBM的总带宽远超GDDR5。

  HBM有能力通过多层堆叠DRAM芯片实现更大的内存容量，并可通过系统级封装集成多个HBM叠层DRAM芯片。

  HBM的TSV和微凸块技术使得DRAM裸片与处理器之间的信号传输路径更短，降低了功耗效能。

  HBM的SiP集成技术极大节省了空间，使之在芯片面积上表现出色，HBM2甚至能节约94%的空间。

  随着人工智能技术的持续不断的发展，对高性能内存的需求愈加旺盛。根据《AI and Memory Wall》一文的研究，过去20年，服务器硬件的FLOPS峰值增速远超DRAM和互连带宽的增速，内存瓶颈已慢慢的变成为AI应用中的关键障碍。例如，英伟达的H100成本接近3000美元，其中单独HBM的成本竟高达2000美元。这样的数据不仅表明了HBM在AI领域应用的紧迫性，同时也展示了该技术背后的巨大市场潜力。

  HBM的制作的完整过程高度依赖先进设备环节，这必然的联系到HBM能否高效、高质量地生产。在晶圆制造阶段，TSV刻蚀设备、光刻机和离子注入机等共同完成了晶圆的基础加工和处理。

  进入中段制造环节，晶圆级封装设备扮演了核心角色，能够将多个DRAM裸片精准堆叠，并利用TSV和微凸块技术实现芯片间互联。此阶段可能还包括晶圆减薄、研磨和切割等细致的工序，不断的提高产品精度。

  到了后端封测阶段，测试设备将对HBM芯片做全面的功能与性能测试，确保芯片的质量和性能达标，之后再通过封装设备将合格的芯片封装成最终产品。并且，随着HBM技术的持续演进，设备环节也在不断进行技术创新，提升生产的精度、效率及可靠性。有必要注意一下的是，在全球贸易环境复杂多变的背景下，国产设备厂商正在积极推动HBM产业链的国产化替代进程。

  展望未来，HBM行业将因智能化、自动化技术的广泛应用而迎来更广阔的发展空间和机遇。根据国海证券的分析，建议投资的人关注以下适合的概念股：

  根据这些分析，HBM产业链的前景广阔，有望在未来引领高性能内存的市场潮流。

  对高带宽内存行业的首次覆盖提出“推荐”评级，标志着投资者与市场对这一蒸蒸日上的技术领域的信心与期待。

  高带宽内存技术作为有力的存储解决方案，承担了推动新一轮科技革命的重要任务。随着AI和计算需求的日益增高，HBM不单单是技术创新的产物，更是未来科学技术实力的象征。希望读者可持续关注HBM产业链的进展与未来趋势，共同探索这个充满潜力的新兴行业。

  在这个快速变化的时代，如何抓住HBM带来的投资机会，同时理解其对各行业的深远影响，可以让我们共同思考与讨论。返回搜狐，查看更加多